7.15 PRACTICAL APPLICATION

[menuju akhir]

 1. Tujuan [kembali]

 Tujuan

  • Mampu menjelaskan prinsip cara kerja setiap rangkaian
  • Mampu mengaplikasikan dan membuat rangkaian 
  • Untuk menyelesaikan tugas yang diberikan Pak Darwison,M.T

2. Alat Dan Bahan[kembali]

 A. Alat

  • Baterai
Baterai merupakan perangkat yang digunakan untuk memberi daya terhadap alat yang membutuhkan listrik. Baterai juga merupakan komponen elektronika penghasil sumber tegangan pada rangkaian,arus yang biasanya diukur dengan satuan mili ampere hours atau disingkat mAH,. Misalnya sebuah baterai 1900mAH bisa menyuplai 1900mA ke sebuah rangkain selama 1 jam sebelum akhirnya habis.
  • Amperemeter
Amperemeter adalah salah satu alat ukur yang biasa digunakan untuk mengukur seberapa besar kuat arus listrik yang terdapat pada sebuah rangkaian. Jika anda menggunakan alat ini, anda akan menjumpai tulisan A dan mA. A adalah Amperemeter, mA adalah miliamperemeter atau mikroamperemeter. 

    B. Bahan
  • Resistor

Resistor adalah perangkat elektronik yang berperan sebagai penghambat tengangan suatu rangkaian. yang memiliki berbagai variasi hambatan yang satuannya ohm.

3. Dasar Teori [kembali]

 Aplikasi yang dijelaskan di sini mengambil keuntungan penuh dari impedansi input transistor efek medan yang tinggi, isolasi yang ada antara gerbang dan sirkuit pembuangan, dan linear wilayah karakteristik JFET yang memungkinkan mendekati perangkat dengan elemen resistif antara terminal drain dan source. Salah satu aplikasi JFET yang paling umum adalah sebagai resistor variabel yang nilai resistansinya dikendalikan oleh tegangan dc yang diberikan pada terminal gerbang. Pada Gambar 7.63a, wilayah linier transistor JFET telah ditunjukkan dengan jelas. Pada Gambar 7.63b, daerah linier telah diperluas ke tegangan drain-to-source maksimum sekitar 0,5 V. Perhatikan bahwa meskipun kurva memang memiliki beberapa kelengkungan, mereka bisa mudah didekati dengan garis yang cukup lurus, semuanya berasal dari persimpangan sumbu dan kemiringan ditentukan oleh tegangan dc gerbang-ke-sumber. Ingat dari diskusi sebelumnya bahwa untuk plot I–V di mana arus adalah sumbu vertikal dan tegangan adalah sumbu horizontal, semakin curam kemiringannya, semakin kecil hambatannya; dan lebih horizontal kurva, semakin besar hambatannya. Hasilnya adalah garis vertikal memiliki resistansi 0 Ω dan garis horizontal memiliki resistensi tak terbatas. Pada VGS = 0 V, kemiringannya paling curam dan resistensi paling sedikit. Ketika tegangan gerbang-ke-sumber menjadi semakin negatif, kemiringan menurun sampai hampir horizontal di dekat tegangan pinch-off. Dengan menggunakan hukum Ohm, mari kita hitung hambatan yang terkait dengan setiap kurva pada Gambar 7.63b menggunakan arus yang menghasilkan tegangan drain-to-source sebesar 0,4 V.


Secara khusus, perhatikan bagaimana resistansi saluran ke sumber meningkat saat gerbang ke sumber
tegangan mendekati nilai pinch-off. Hasil yang baru saja diperoleh dapat diverifikasi oleh Persamaan. (6.1) menggunakan tegangan pinch-off -3 V dan Ro = 100 pada VGS = 0 V. Kita punya

Meskipun hasilnya tidak sama persis, untuk sebagian besar aplikasi disediakan Persamaan (6.1).
perkiraan yang sangat baik untuk tingkat resistensi aktual untuk RDS. Perlu diingat bahwa kemungkinan level V GS antara 0 V dan pinch-off tidak terbatas, menghasilkan kisaran penuh nilai resistor antara 100 Æ dan 3,3 kÆ. Oleh karena itu, secara umum pembahasan di atas dirangkum oleh Gambar 7.64a. Untuk VGS = 0 V, kesetaraan dari Gambar 7.64b akan menghasilkan; untuk VGS = -1,5 V, persamaan dari Gambar 7.64c ; dan seterusnya

Sekarang mari kita selidiki penggunaan resistansi drain yang dikontrol tegangan ini dalam penguat nonin verting pada Gambar 7.65a — noninverting menunjukkan bahwa sinyal input dan output
berada dalam fase. Op-amp pada Gambar 7.65a dibahas secara rinci pada Bab 10 , dan persamaannya
untuk keuntungan diturunkan di Bagian 10.4. Jika Rf = R1, gain yang dihasilkan adalah 2, seperti yang ditunjukkan oleh sinyal sinusoidal dalam fase dari Gambar. 7.65a . Pada Gambar 7.65b, resistor variabel telah diganti dengan JFET n-channel. Jika
Rf = 3,3 k dan transistor pada Gambar 7.63 digunakan, gain dapat diperpanjang dari 1 + 3,3 k >3,3 k = 2 hingga 1 + 3,3 k >100 = 34 untuk V GS bervariasi dari -2,5 V hingga 0 V, masing-masing. Oleh karena itu, secara umum, penguatan penguat dapat diatur pada nilai berapa pun antara 2 dan 34 dengan hanya mengontrol tegangan biasing dc yang diterapkan. Efek dari ini jenis kontrol dapat diperluas ke berbagai macam aplikasi. Misalnya, jika tegangan baterai radio harus mulai turun karena penggunaan yang lama, tingkat dc di gerbang pengendalian JFET akan turun, dan level RDS juga akan turun. Penurunan RDS akan menghasilkan peningkatan penguatan untuk nilai R f yang sama, dan volume keluaran radio dapat dipertahankan.


Salah satu faktor terpenting yang mempengaruhi stabilitas sistem adalah variasi temperatur. Saat sistem memanas, kecenderungan yang biasa adalah keuntungan meningkat, yang mana di
gilirannya biasanya akan menyebabkan pemanasan tambahan dan pada akhirnya dapat mengakibatkan kondisi dimaksud sebagai "pelarian termal." Melalui desain yang tepat, termistor dapat diperkenalkan sesuai keinginan mempengaruhi tingkat bias dari resistor JFET variabel yang dikontrol tegangan. Sebagai perlawanan dari thermistor turun dengan peningkatan panas, kontrol bias JFET bisa seperti itu
bahwa resistansi pengurasan berubah dalam desain amplifier untuk mengurangi penguatan pembentukan efek penyeimbang. Untuk noninverting amplifier, salah satu keuntungan terpenting terkait dengan menggunakan JFET untuk kontrol adalah fakta bahwa itu adalah dc daripada kontrol ac. Untuk kebanyakan sistem, kontrol dc tidak hanya menghasilkan pengurangan kemungkinan penambahan derau yang tidak diinginkan ke sistem, tetapi juga juga cocok untuk remote control. Misalnya, pada Gambar 7.66a , panel kendali jarak jauh mengontrol gain amplifier untuk speaker dengan saluran ac yang terhubung ke variabel resistor.
Timer Network
Isolasi yang tinggi antara rangkaian gerbang dan saluran pembuangan memungkinkan desain pengatur waktu yang relatif sederhana seperti yang ditunjukkan pada Gambar 7.67. Sakelar adalah sakelar yang biasanya terbuka (NO), yang ketika ditutup, akan membuat kapasitor menjadi pendek dan menyebabkan tegangan terminalnya turun dengan cepat ke 0 V. Jaringan switching dapat menangani pelepasan tegangan yang cepat melintasi kapasitor

Sistem Fiber Optik

Pengenalan teknologi fiber optik memiliki efek signifikan pada industri komunikasi. Kapasitas pembawa informasi dari kabel serat optik secara signifikan lebih besar daripada yang disediakan oleh metode konvensional dengan sepasang kabel individual. Selain itu, ukuran kabel berkurang, kabel lebih murah, crosstalk karena efek elektromagnetik antara konduktor pembawa arus dihilangkan, dan noise pickup akibat gangguan eksternal seperti petir dihilangkan. Industri serat optik didasarkan pada fakta bahwa informasi dapat ditransmisikan pada seberkas cahaya. Padahal kecepatan cahaya melalui ruang bebas adalah 3 x 10^8 meter per detik. Pada Gambar 7.68 , elemen dasar kabel serat optik terdefinisikan. Inti kaca atau plastik kabel bisa sekecil 8 mm, yang mendekati 1/10 diameter rambut manusia. Inti dikelilingi oleh lapisan luar yang disebut kelongsong, yang juga terbuat dari kaca
atau plastik, tetapi memiliki indeks bias yang berbeda untuk memastikan cahaya di inti yang mengenai
permukaan luar inti dipantulkan kembali ke inti. Lapisan pelindung kemudian ditambahkan
untuk melindungi dua lapisan dari efek lingkungan luar.

Komponen dasar sistem komunikasi optik ditunjukkan pada Gambar 7.69. Itu
sinyal input diterapkan ke modulator cahaya yang tujuan utamanya adalah untuk mengubah sinyal input
ke salah satu tingkat intensitas cahaya yang sesuai untuk diarahkan ke panjang serat optik
kabel. Informasi tersebut kemudian dibawa melalui kabel ke stasiun penerima, di mana a
demodulator cahaya mengubah intensitas cahaya yang bervariasi kembali ke level voltase yang cocok
yang berasal dari sinyal asli.
Arus untuk fotodioda adalah arus balik arah yang ditunjukkan pada Gambar 7.70a, tetapi dalam ekuivalen ac fotodioda dan resistor R sejajar seperti yang ditunjukkan pada Gambar 7.70b , membentuk sinyal yang diinginkan dengan polaritas ditampilkan di gerbang JFET. Kapasitor C hanyalah rangkaian terbuka ke dc untuk mengisolasi pengaturan bias untuk fotodioda dari JFET dan hubung singkat seperti yang ditunjukkan sinyal vs . Sinyal yang masuk kemudian akan diperkuat dan akan muncul di saluran pembuangan terminal keluaran JFET.

Driver Relay MOSFET
Driver relay MOSFET yang akan dijelaskan di bagian ini adalah contoh yang sangat baik tentang bagaimana FET dapat digunakan untuk menggerakkan jaringan arus tinggi/tegangan tinggi tanpa menarik arus atau daya dari sirkuit penggerak. Impedansi input FET yang tinggi pada dasarnya mengisolasi dua bagian jaringan tanpa memerlukan hubungan optik atau elektromagnetik. Jaringan yang akan dijelaskan dapat digunakan untuk berbagai aplikasi, tetapi aplikasi kita akan terbatas pada sistem alarm yang diaktifkan ketika seseorang atau sesuatu melewati bidang cahaya yang ditransmisikan. LED IR (inframerah—tidak terlihat) pada Gambar 7.71 mengarahkan cahayanya melalui corong pengarah untuk mengenai permukaan sel fotokonduktif (Bagian 16.7) jaringan pengendali.


4. Percobaan [kembali]

        A.Prosedur percobaan

  • Siapkan segala komponen yang di butuhkan
  • Susun rangkaian sesuai panduan
  • Sambungkan rangkaian dengan baterai untuk sumber tenaga
  • Hidupkan rangkaian
  • Apabila tidak terjadi eror, maka rangkaian selesai dibuat.

        B.Hardware

        Tidak ada (hanya ada dalam praktikum)





5. Video [kembali]




6. Example,Problem,PG [kembali]

1. JFET memiliki arus drain 5 mA. Jika IDSS = 10 mA dan VGS (off) = – 6 V, tentukan nilai (i) VGS dan (ii) VP.

SOLUSI :

2. Data JFET memberikan informasi berikut: IDSS = 3 mA, VGS (off) = – 6V dan gm (maks) = 5000 μS. Tentukan transkonduktansi untuk VGS = - 4V dan temukan ID arus drain pada titik ini.

SOLUSI :


  • Problem
1. Fig. 1 menunjukan karakteristik kurva JFET, Tuliskan persamaan arus drain
SOLUSI :
Merujuk karakteristik kurva di Fig.1, kita mempunyai

2. JFET memiliki parameter berikut: IDSS = 32 mA ; VGS (off) = – 8V ; VGS = – 4,5 V. Tentukan nilai arus drain.

SOLUSI ;



  • Pilihan Ganda
1. Suatu rangkaian terintegrasi yang berisi beberapa tingkat dan konfigurasi penguat differensial, memiiki dua masukan dan satu keluaran disebut…
a.Penguat DC
b.Penguat video
c.Penguat operasional
d.Penguat frekuensi audioe.Penguat penyangga

2. Untuk mengendalikan konduktifitasnya FET menggunakan...
a. Medan Gravitasi
b. Medan Magnet
c. Medan Listrik
d. Gaya Listrik

7. Download File [kembali]


[menuju awal]

 

0 comments:

Posting Komentar